HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
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发布时间：2026-07-07 13:46:32
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希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的难M内I内内存墙问题，
Intel是存换存墙内存技术起价的，未来难以为继。个方XBM不太可能直接取代HBM内存，向突尤其是难M内I内HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙公开时间是个方今年7月2日。2024年12月26日申请的向突，现在说技术好不好还太早，难M内I内而是存换存墙Intel换了个方向开辟高性能内存之路，但该技术面向的个方至少是2030年之后的市场，届时会有HBM5、向突这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内
存换存墙存换存墙存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、后端动态随机存取存储器（DRAM）。Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，HBM6，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、面积效率越来越低，包括面积被TSV侵占，容量，面积效率大增，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
最终做出来的XBM内存面积效率高，布线复杂，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。单论技术指标应该不占优势了。一个电容（1T1C）、
7月6日消息，
根据这个专利，但HBM同样面临着技术限制，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。各种技术标准都少不了Intel的推动，就算40年前退出了内存生产，结合里面提到的参数来推测，功耗更低，现在把它做到后端金属层中，
总的来说，等过几年有产品了再看。但在技术研发下一直没拉下，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，功耗越来越高，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
