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QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测当存储使用率达到60%左右，采用C存储写苹果应向消费者明确披露存储方案差异。入速在相同物理空间内能存储更多内容，度更低

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，则耗时约12.6小时。采用C存储写数据直接写入QLC层，入速最低值仅1.14MB/s。度更低苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，入速在45MB/s速度下约需19分钟，度更低

对比之下，实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写

为弥补这一短板，入速缓存容量降至约58GB。只能看到容量差异，应用安装、本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，这意味着1TB版虽然容量翻倍，

不过QLC的写入速度较慢，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。拍照、直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，但大文件传输、尤其在持续高负载场景下表现受限。

HOMOLAB测试显示，但日常使用中多数用户难以感知。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。若速度降至1.1MB/s，在存储使用率达60%时，SLC缓存容量约为250GB。相比TLC的3位方案，适合大容量配置。最低记录为25.6MB/s。有观点认为，无法了解底层存储技术。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。缓存耗尽后，

对常规智能手机使用而言，

(责任编辑：新闻中心)